TPS1101D、TPS1101DG4、TPS1101DR对比区别
型号 TPS1101D TPS1101DG4 TPS1101DR
描述 MOSFET 晶体管，Texas Instruments单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 90 mΩ - 0.09 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 791 mW 0.791 W 791 mW
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V
漏源击穿电压 15 V - 15 V
连续漏极电流(Ids) -2.30 A 2.3A 2.3A
上升时间 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns
额定功率(Max) 791 mW - 791 mW
下降时间 13 ns 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃
耗散功率(Max) 791 mW 791mW (Ta) 791mW (Ta)
额定电压(DC) -15.0 V - -
额定电流 -2.30 A - -
输出电压 -15.0 V - -
输出电流 ≤2.30 A - -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.91 mm - 3.9 mm
高度 1.58 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -