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TPS1101D

TPS1101D

TI(德州仪器) 分立器件

MOSFET 晶体管,Texas Instruments

P 通道 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC


立创商城:
P沟道 15V 2.3A


德州仪器TI:
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET


欧时:
Texas Instruments Si P沟道 MOSFET TPS1101D, 2.3 A, Vds=15 V, 8引脚 SOIC封装


贸泽:
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC Tube


Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -2.3 A, -15 V, 90 mohm, -10 V, -1.25 V


力源芯城:
单路P沟道增强方式MOSFET


DeviceMart:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC


TPS1101D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -15.0 V

额定电流 -2.30 A

输出电压 -15.0 V

输出电流 ≤2.30 A

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 791 mW

漏源极电压Vds 15 V

漏源击穿电压 15 V

连续漏极电流Ids -2.30 A

上升时间 5.5 ns

额定功率Max 791 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 791 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

TPS1101D引脚图与封装图
TPS1101D引脚图

TPS1101D引脚图

TPS1101D封装图

TPS1101D封装图

TPS1101D封装焊盘图

TPS1101D封装焊盘图

在线购买TPS1101D
型号 制造商 描述 购买
TPS1101D TI 德州仪器 MOSFET 晶体管,Texas Instruments 搜索库存
替代型号TPS1101D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TPS1101D

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC P-Channel -15V -2.3A 90mohms

当前型号

MOSFET 晶体管,Texas Instruments

当前型号

型号: TPS1101DR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC P-Channel -15V 2.3A

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TPS1101D和TPS1101DR的区别

型号: TPS1101DRG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC P-Channel 15V 2.3A

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型号: TPS1101DG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC P-Channel 15V 2.3A

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