TPS1101DG4
TI
德州仪器
分立器件
TPS1101DG4中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 0.791 W
漏源极电压Vds 15 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 5.5 ns
下降时间 13 ns
耗散功率Max 791mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPS1101DG4引脚图与封装图 
TPS1101DG4引脚图
TPS1101DG4封装图
TPS1101DG4封装焊盘图
在线购买TPS1101DG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPS1101DG4 | TI 德州仪器 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | 搜索库存 |
替代型号TPS1101DG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPS1101DG4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC P-Channel 15V 2.3A | 当前型号 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | 当前型号 |
| 型号： TPS1101DRG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel 15V 2.3A | 完全替代 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | TPS1101DG4和TPS1101DRG4的区别 |
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| 型号： TPS1101DR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC P-Channel -15V 2.3A | 类似代替 | 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS | TPS1101DG4和TPS1101DR的区别 |