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TPS1101DR

TPS1101DR

TI(德州仪器) 分立器件

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

表面贴装型 P 通道 15 V 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC


立创商城:
TPS1101DR


德州仪器TI:
Single P-channel Enhancement-Mode MOSFET


得捷:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC


贸泽:
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TPS1101DR  MOSFET Transistor, P Channel, -2.3 A, -15 V, 90 mohm, -10 V, -1.25 V


Win Source:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC


TPS1101DR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 791 mW

漏源极电压Vds 15 V

漏源击穿电压 15 V

连续漏极电流Ids 2.3A

上升时间 5.5 ns

额定功率Max 791 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 791mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

TPS1101DR引脚图与封装图
TPS1101DR引脚图

TPS1101DR引脚图

TPS1101DR封装图

TPS1101DR封装图

TPS1101DR封装焊盘图

TPS1101DR封装焊盘图

在线购买TPS1101DR
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TPS1101DR TI 德州仪器 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS 搜索库存
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型号: TPS1101DR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC P-Channel -15V 2.3A

当前型号

单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

当前型号

型号: TPS1101D

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封装: SOIC P-Channel -15V -2.3A 90mohms

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