MUN5116T1G、UNR511600L、MUN5116T1对比区别

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型号 MUN5116T1G UNR511600L MUN5116T1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSMini3-G1 PNP 50V 100mA偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 202 mW - 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW 150 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW - 310 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

高度 0.85 mm - 0.85 mm

封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3

长度 2.1 mm - -

宽度 1.24 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -