MUN5116T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN5116T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN5116T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5116T1G | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 搜索库存 |
替代型号MUN5116T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5116T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
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| 型号： MUN5111T1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP 50V 100mA | 完全替代 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5116T1G和MUN5111T1的区别 |
| 型号： MUN5111T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MUN5111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | MUN5116T1G和MUN5111T1G的区别 |