UNR511600L

Panasonic(松下) 分立器件

SMini3-G1 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMini3-G1

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-G1

UNR511600L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

UNR511600L引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
UNR511600L	Panasonic 松下	SMini3-G1 PNP 50V 100mA	搜索库存

替代型号UNR511600L

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： UNR511600L 品牌： Panasonic 松下封装： 50V PNP -50V -100mA	当前型号	SMini3-G1 PNP 50V 100mA	当前型号
型号： MUN5116T1G 品牌：安森美封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW	功能相似	偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor	UNR511600L和MUN5116T1G的区别
型号： BCR169WH6327XTSA1 品牌：英飞凌封装： SOT-323 PNP 250mW	功能相似	Infineon BCR169WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-323 SC-70封装	UNR511600L和BCR169WH6327XTSA1的区别
型号： RN2310TE85L,F 品牌：东芝封装： USM PNP 100mW	功能相似	USM PNP 50V 100mA	UNR511600L和RN2310TE85L,F的区别