MUN5116T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5116T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MUN5116T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5116T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MUN5115T1 品牌： 安森美 封装： SOT-323/SC-70 PNP -50V -100mA | 完全替代 | MUN5115T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 250 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6E 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | MUN5116T1和MUN5115T1的区别 |
| 型号： MUN5115T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5116T1和MUN5115T1G的区别 |
| 型号： MUN5116T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5116T1和MUN5116T1G的区别 |