MMBT2222、MMBT2222ALT1G、BC849BLT1G对比区别

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型号 MMBT2222 MMBT2222ALT1G BC849BLT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  BC849BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 40.0 V 30.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 100 mA

额定功率 - 225 mW -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 300 mW

增益频宽积 - 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 40 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 300 300 290

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -