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MMBT2222
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 600 mA 250MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 30V 600MA SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
NPN switching transistor


MMBT2222中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 600 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT2222引脚图与封装图
MMBT2222引脚图

MMBT2222引脚图

MMBT2222封装图

MMBT2222封装图

在线购买MMBT2222
型号 制造商 描述 购买
MMBT2222 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE 搜索库存
替代型号MMBT2222
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT2222

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 30V 600mA 0.35W

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE

当前型号

型号: MMBT2222A_D87Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23-3 NPN

类似代替

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose

MMBT2222和MMBT2222A_D87Z的区别

型号: MMBT2222ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE

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