额定电压DC 30.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
MMBT2222引脚图
MMBT2222封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBT2222 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBT2222 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 NPN 30V 600mA 0.35W | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE | 当前型号 | |
型号: MMBT2222A_D87Z 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23-3 NPN | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose | MMBT2222和MMBT2222A_D87Z的区别 | |
型号: MMBT2222ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE | MMBT2222和MMBT2222ALT1G的区别 |