频率 100 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 290
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
BC849BLT1G引脚图
BC849BLT1G封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC849BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC849BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC849BLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC849BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC849BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA | 完全替代 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | BC849BLT1G和BC849BLT3G的区别 |
| 型号： BC848BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC848BLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE | BC849BLT1G和BC848BLT1G的区别 |
| 型号： BC848CLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. | BC849BLT1G和BC848CLT1G的区别 |
