MMBT2222ALT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
额定功率 225 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, ??, 车用, 工业, Signal Processing, Industrial, Automotive, ????, Automotive, Signal Processing, 信号处理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
MMBT2222ALT1G引脚图与封装图 
MMBT2222ALT1G引脚图
MMBT2222ALT1G封装图
MMBT2222ALT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2222ALT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2222ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT2222ALT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2222ALT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE | 当前型号 |
| 型号： NSCT2222ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 40V | 完全替代 | SOT-23 NPN 40V 0.6A | MMBT2222ALT1G和NSCT2222ALT1G的区别 |
| 型号： MMBT2222ALT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 40V 600mA 0.3W | 类似代替 | 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon | MMBT2222ALT1G和MMBT2222ALT1的区别 |