TLE2161AID、TLE2161AIDR、TLE2161AIDG4对比区别
型号 TLE2161AID TLE2161AIDR TLE2161AIDG4
描述 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS运算放大器 - 运放 Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drive uPowerExcalibur JFET 输入高输出驱动低功耗运算放大器 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤80 mA ≤80 mA ≤80 mA
供电电流 290 µA 290 µA 290 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
耗散功率 725 mW 725 mW 0.725 W
共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K
带宽 5.8 MHz 5.80 MHz 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs 10.0 V/μs 10.0 V/μs
增益频宽积 5.8 MHz 5.8 MHz 6.4 MHz
输入补偿电压 500 µV 500 µV 2.6 mV
输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
增益带宽 6.4 MHz 6.4 MHz -
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB
电源电压(Max) 36 V - -
电源电压(Min) 7 V - -
长度 4.9 mm 4.9 mm -
宽度 3.91 mm 3.91 mm -
高度 1.58 mm 1.58 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -