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TLE2161AID

TLE2161AID

TI(德州仪器) 主动器件

神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

J-FET 放大器 1 电路 - 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2161AID


德州仪器TI:
Single, 36-V, 6.4-MHz operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Low Power JFET


艾睿:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Wide BandwidthExcalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Operational Amplifier OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Op Amp Single Wideband Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLE2161AID  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 5.8 MHz, 10 V/µs, ± 3.5V to ± 18V, SOIC, 8 Pins


TLE2161AID中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤80 mA

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 725 mW

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 5.8 MHz

转换速率 10.0 V/μs

增益频宽积 5.8 MHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 6.4 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压Max 36 V

电源电压Min 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

TLE2161AID引脚图与封装图
TLE2161AID引脚图

TLE2161AID引脚图

TLE2161AID封装图

TLE2161AID封装图

TLE2161AID封装焊盘图

TLE2161AID封装焊盘图

在线购买TLE2161AID
型号 制造商 描述 购买
TLE2161AID TI 德州仪器 神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号TLE2161AID
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLE2161AID

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 6.4MHz 1Channel 8Pin

当前型号

神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: TLE2161AIDR

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