TLE2161AIDG4
TI(德州仪器)
主动器件
TLE2161AIDG4中文资料参数规格
技术参数
输出电流 ≤80 mA
供电电流 290 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 65 dB
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs
增益频宽积 6.4 MHz
输入补偿电压 2.6 mV
输入偏置电流 4 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 65 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLE2161AIDG4引脚图与封装图 
TLE2161AIDG4引脚图
TLE2161AIDG4封装图
TLE2161AIDG4封装焊盘图
在线购买TLE2161AIDG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLE2161AIDG4 | TI 德州仪器 | Excalibur JFET 输入高输出驱动低功耗运算放大器 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号TLE2161AIDG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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