FDS6930B、MMDF3N04HDR2G、PHN203,518对比区别

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型号 FDS6930B MMDF3N04HDR2G PHN203,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930B.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFETMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 2 W 2.00 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V

上升时间 6 ns - 6 ns

输入电容(Ciss) 412pF @15V(Vds) 900pF @32V(Vds) 560pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.39 W 2 W

下降时间 2 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 5.50 A 3.00 A -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.031 Ω 80.0 mΩ -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

阈值电压 1.9 V - -

输入电容 412 pF - -

栅电荷 3.80 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 3.00 A -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -