PHN203,518
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NXP
恩智浦
分立器件
PHN203,518中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 560pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHN203,518引脚图与封装图
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在线购买PHN203,518
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHN203,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | 搜索库存 |
替代型号PHN203,518
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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