MMDF3N04HDR2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 900pF @32VVds
额定功率Max 1.39 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMDF3N04HDR2G引脚图与封装图
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在线购买MMDF3N04HDR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF3N04HDR2G | ON Semiconductor 安森美 | 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MMDF3N04HDR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDF3N04HDR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC Dual N-Channel 40V 3A 80mohms | 当前型号 | 3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MMDF3N04HDR2 品牌： 安森美 封装： SOIC N-Channel 40V 3.4A 80mΩ | 类似代替 | 功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts | MMDF3N04HDR2G和MMDF3N04HDR2的区别 |
| 型号： FDS6930B 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 5.5A 38mohms 412pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930B. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V | MMDF3N04HDR2G和FDS6930B的区别 |
| 型号： MMDF3N04HD 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 功率MOSFET 3安培， 40伏 Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts | MMDF3N04HDR2G和MMDF3N04HD的区别 |