MMBFJ309、MMBFU310LT1G、MMBFJ310LT3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 MMBFJ309 MMBFU310LT1G MMBFJ310LT3G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ309.  射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET，ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 30 mA 10.0 mA 10.0 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 25.0 V -25.0 V -25.0 V

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 - 25.0 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA 10.0 mA -

击穿电压 - 25 V 25 V

输入电容(Ciss) - 5pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 225 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW -

输入电容 - - 5.00 pF

增益 12 dB - 12 dB

测试电流 10 mA - 10 mA

额定电压 25 V - 25 V

频率 450 MHz - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 0.93 mm - 1.01 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99