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MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

JFET N 通道 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


贸泽:
JFET 25V 10mA


艾睿:
The simplest type of field-effect transistor is this MMBFU310LT1G JFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23


MMBFU310LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 10.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 25 V

栅源击穿电压 25.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 mA

击穿电压 25 V

输入电容Ciss 5pF @10VVgs

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFU310LT1G引脚图与封装图
MMBFU310LT1G引脚图

MMBFU310LT1G引脚图

MMBFU310LT1G封装焊盘图

MMBFU310LT1G封装焊盘图

在线购买MMBFU310LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBFU310LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号MMBFU310LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBFU310LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: MMBFJ310LT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA

完全替代

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT3G的区别

型号: MMBFJ310LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET

MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT1G的区别

型号: MMBFJ310LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA

类似代替

JFET VHF / UHF放大器晶体管 JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT1的区别