频率 450 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 30 mA
击穿电压 25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 25.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 mA
增益 12 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBFJ309 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309. 射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBFJ309 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 350mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309. 射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23 | 当前型号 | |
型号: BFR31 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel | 类似代替 | NXP BFR31 晶体管, JFET, JFET, 1 mA, 5 mA, -2.5 V, SOT-23, JFET | MMBFJ309和BFR31的区别 | |
型号: MMBFJ310LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBFJ310LT1G 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET | MMBFJ309和MMBFJ310LT1G的区别 | |
型号: MMBFU310LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBFU310LT1G 晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET | MMBFJ309和MMBFU310LT1G的区别 |