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MMBFJ309
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ309.  射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v

\---|---

栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -25v

漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 12~30ma

关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -1~-4v

耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W

Description & Applications| N-Channel RF Amplifier This device is designed for VHF/UHF amplifier, oscillator and mixer applications. As a common gate amplifier, 16 dB at 100 MHz and 12 dB at 450 MHz can be realized.

描述与应用| N沟道射频放大器 该设备是专为VHF/ UHF放大器,振荡器和混频器 的应用程序。共栅极放大器,16分贝在100 MHz和 12 dB,在450兆赫频率可以实现的。

MMBFJ309中文资料参数规格
技术参数

频率 450 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 30 mA

击穿电压 25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 12 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ309引脚图与封装图
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在线购买MMBFJ309
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ309 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ309.  射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23 搜索库存
替代型号MMBFJ309
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBFJ309

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ309.  射频晶体管, JFET, 25V, 3-SOT-23

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