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MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

数据手册.pdf

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


贸泽:
JFET 25V 10mA


艾睿:
Ensure your circuit doesn t go through large input voltage drops with ON Semiconductor&s;s MMBFJ310LT3G JFET transistor. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
IC; Transistor; JFET; N-Channel; 25V; SOT-23; Cut Tape


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT3G  JFET Transistor, -25 V, 24 mA, 60 mA, 25 V, SOT-23, JFET


MMBFJ310LT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 10.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 5.00 pF

漏源极电压Vds 25 V

栅源击穿电压 25.0 V

增益 12 dB

测试电流 10 mA

击穿电压 25 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBFJ310LT3G引脚图与封装图
MMBFJ310LT3G引脚图

MMBFJ310LT3G引脚图

MMBFJ310LT3G封装焊盘图

MMBFJ310LT3G封装焊盘图

在线购买MMBFJ310LT3G
型号 制造商 描述 购买
MMBFJ310LT3G ON Semiconductor 安森美 N 通道 JFET,ON Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存
替代型号MMBFJ310LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBFJ310LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA

当前型号

N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

当前型号

型号: MMBFU310LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

MMBFJ310LT3G和MMBFU310LT1G的区别

型号: MMBFJ310LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA

类似代替

JFET VHF / UHF放大器晶体管 JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

MMBFJ310LT3G和MMBFJ310LT1的区别

型号: MMBFJ310LT3

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 25V 10mA

类似代替

Small Signal JFET

MMBFJ310LT3G和MMBFJ310LT3的区别