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CSD17507Q5A、FDMS8888、CSD17506Q5A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17507Q5A FDMS8888 CSD17506Q5A

描述 30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20VN沟道MOSFET PowerTrench® N-Channel PowerTrench® MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Vgs 为 20V

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 Power-56-8 PowerTDFN-8

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.009 Ω 0.008 Ω 0.0032 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 42 W 3.2 W

阈值电压 1.6 V 1.9 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 65.0 A 13.5A 23A

上升时间 5.2 ns 6 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 530pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 1650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 2.5 W 3.2 W

下降时间 2.3 ns 4 ns 5.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 3.2W (Ta)

针脚数 - - 8

长度 5.8 mm 6 mm 6.1 mm

宽度 5 mm 5 mm 5 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8 Power-56-8 PowerTDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC