FDMS8888
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS8888中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1585pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDMS8888引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMS8888
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS8888 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench® N-Channel PowerTrench® MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDMS8888
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS8888 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power-56-8 N-Channel 30V 13.5A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench® N-Channel PowerTrench® MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD17507Q5A 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 30V 65A | 功能相似 | 30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V | FDMS8888和CSD17507Q5A的区别 |
| 型号： CSD17551Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-Channel 30V 13.5A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V | FDMS8888和CSD17551Q5A的区别 |
| 型号： CSD17327Q5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-CH 30V 13A | 功能相似 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | FDMS8888和CSD17327Q5A的区别 |