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CSD17507Q5A

CSD17507Q5A

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20V

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments

### MOSFET ,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON


立创商城:
CSD17507Q5A


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装


贸泽:
MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17507Q5A  MOSFET Transistor, N Channel, 65 A, 30 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 1.6 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON


CSD17507Q5A中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 65.0 A

上升时间 5.2 ns

输入电容Ciss 530pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 2.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 5.8 mm

宽度 5 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD17507Q5A引脚图与封装图
CSD17507Q5A引脚图

CSD17507Q5A引脚图

CSD17507Q5A封装图

CSD17507Q5A封装图

CSD17507Q5A封装焊盘图

CSD17507Q5A封装焊盘图

在线购买CSD17507Q5A
型号 制造商 描述 购买
CSD17507Q5A TI 德州仪器 30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20V 搜索库存
替代型号CSD17507Q5A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17507Q5A

品牌: TI 德州仪器

封装: 8-PowerTDFN N-Channel 30V 65A

当前型号

30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET,Vgs 为 20V

当前型号

型号: CSD17506Q5A

品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 23A

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品牌: 德州仪器

封装: SON N-Channel 30V 20A

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品牌: 德州仪器

封装: VSON N-Channel 30V 13.5A

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