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MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT2484LT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5551-7-F MMBT5551LT1G MMBT2484LT1

描述 三极管ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE低噪声晶体管( NPN硅) Low Noise Transistor(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 160 V 160 V 60.0 V

额定电流 200 mA 600 mA 100 mA

额定功率 0.3 W 0.225 W -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 250 @1mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 250 250 -

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 80 80 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

频率 300 MHz - -

长度 3.05 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -