MMBT2484LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 100 mA
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT2484LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBT2484LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2484LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 低噪声晶体管（ NPN硅） Low Noise TransistorNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBT2484LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2484LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 100mA 300mW | 当前型号 | 低噪声晶体管（ NPN硅） Low Noise TransistorNPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT2484LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | MMBT2484LT1和MMBT2484LT1G的区别 |
| 型号： MMBT2484LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS LN XSTR NPN 60V | MMBT2484LT1和MMBT2484LT3G的区别 |
| 型号： MMBT2484 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor MMBT2484 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:20, 140 kHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT2484LT1和MMBT2484的区别 |