MMBT5551LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
额定功率 0.225 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, ??, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5551LT1G引脚图与封装图 
MMBT5551LT1G引脚图
MMBT5551LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT5551LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5551LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT5551LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5551LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE | 当前型号 |
| 型号： SMMBT5551LT1G 品牌： 安森美 封装： TO-236-3 NPN 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT5551LT1G和SMMBT5551LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5551LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT5551LT1G和MMBT5551LT3G的区别 |
| 型号： MMBT5551 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 350mW | 类似代替 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | MMBT5551LT1G和MMBT5551的区别 |