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MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F

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Diodes(美台) 分立器件

三极管

三极管


得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3


立创商城:
NPN 160V 600mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS NPN 300mW


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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3Pin SOT23


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# DIODES INC.  MMBT5551-7-F  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 300 mW, 600 mA, 80


儒卓力:
**NPN TRANS 160V 0,6A SOT23 **


DeviceMart:
TRANS NPN 160V 350MW SMD SOT23-3


Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3


MMBT5551-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 200 mA

额定功率 0.3 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 军用与航空, 车用, 国防, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

MMBT5551-7-F引脚图与封装图
MMBT5551-7-F引脚图

MMBT5551-7-F引脚图

MMBT5551-7-F封装图

MMBT5551-7-F封装图

MMBT5551-7-F封装焊盘图

MMBT5551-7-F封装焊盘图

在线购买MMBT5551-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMBT5551-7-F Diodes 美台 三极管 搜索库存
替代型号MMBT5551-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBT5551-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23 NPN 160V 200mA 300mW

当前型号

三极管

当前型号

型号： MMBT5551LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

MMBT5551-7-F和MMBT5551LT1G的区别

型号： MMBT6429LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT6429LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE

MMBT5551-7-F和MMBT6429LT1G的区别

型号： MMBT5551

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 0.35W

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE

MMBT5551-7-F和MMBT5551的区别