MSD602-RT1G、SMSD602-RT1G、MSD1328-RT1G对比区别

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型号 MSD602-RT1G SMSD602-RT1G MSD1328-RT1G

描述 NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC59 GP XSTR NPN 25V双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 25V NPN

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-59-3

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 20 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @150mA, 10V 120 @150mA, 10V 200 @500mA, 2V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

额定电压(DC) 50.0 V - 20.0 V

额定电流 100 mA - -500 mA

针脚数 3 - -

极性 NPN - N-Channel, NPN

耗散功率 200 mW - 200 mW

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

直流电流增益(hFE) 40 - -

封装 SC-59-3 SC-59-3 SC-59-3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.5 mm - 1.5 mm

高度 1.09 mm - 1.09 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99