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MSD602-RT1G

MSD602-RT1G

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NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

Compared to other transistors, the NPN general purpose bipolar junction transistor, developed by , can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

MSD602-RT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SC-59-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MSD602-RT1G引脚图与封装图
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在线购买MSD602-RT1G
型号 制造商 描述 购买
MSD602-RT1G ON Semiconductor 安森美 NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 搜索库存
替代型号MSD602-RT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MSD602-RT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SC-59 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

当前型号

型号： SMSD602-RT1G

品牌： 安森美

封装： SC59-3

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SC59 GP XSTR NPN 25V

MSD602-RT1G和SMSD602-RT1G的区别

型号： MSD1328-RT1G

品牌： 安森美

封装： SC-59 N-Channel 20V -500mA 200mW

类似代替

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 25V NPN

MSD602-RT1G和MSD1328-RT1G的区别

型号： MSD602-RT1

品牌： 安森美

封装： SC-59 NPN 50V 100mA

类似代替

NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

MSD602-RT1G和MSD602-RT1的区别