SMSD602-RT1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
外形尺寸
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMSD602-RT1G引脚图与封装图
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在线购买SMSD602-RT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMSD602-RT1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SC59 GP XSTR NPN 25V | 搜索库存 |
替代型号SMSD602-RT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMSD602-RT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC59-3 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SC59 GP XSTR NPN 25V | 当前型号 |
| 型号： MSD602-RT1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 200mW | 完全替代 | NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount | SMSD602-RT1G和MSD602-RT1G的区别 |