MMBT5551、MMBT5551LT3G、MMBT5551LT1G对比区别

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型号 MMBT5551 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1G

描述 高电压晶体管 High Voltage TransistorsNPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz - -

额定电压(DC) 160 V 160 V 160 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 80 80 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW

额定功率 - 225 mW 0.225 W

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最大电流放大倍数(hFE) - - 250

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.11 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99