MMBT5551
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBT5551中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Multimedia, Industrial, 多媒体
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
MMBT5551引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMBT5551
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5551 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 350mW | 当前型号 | 高电压晶体管 High Voltage Transistors | 当前型号 |
| 型号： KST5551MTF 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 完全替代 | ON Semiconductor KST5551MTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT5551和KST5551MTF的区别 |
| 型号： MMBT5551LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE | MMBT5551和MMBT5551LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5551LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT5551和MMBT5551LT3G的区别 |