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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

数据手册.pdf

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MMBT5551LT3G , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3


立创商城:
MMBT5551LT3G


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBT5551LT3G NPN Bipolar Transistor, 0.6 A, 160 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
The High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE


MMBT5551LT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

额定功率 225 mW

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT5551LT3G引脚图与封装图
MMBT5551LT3G引脚图

MMBT5551LT3G引脚图

在线购买MMBT5551LT3G
型号 制造商 描述 购买
MMBT5551LT3G ON Semiconductor 安森美 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号MMBT5551LT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT5551LT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW

当前型号

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: MMBT5551LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 160V 600mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE

MMBT5551LT3G和MMBT5551LT1G的区别

型号: SMMBT5551LT1G

品牌: 安森美

封装: TO-236-3 NPN 300mW

类似代替

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

MMBT5551LT3G和SMMBT5551LT1G的区别

型号: MMBT5551

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 160V 600mA 350mW

类似代替

高电压晶体管 High Voltage Transistors

MMBT5551LT3G和MMBT5551的区别