通道数 1
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 83 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 3640pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
高度 1 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 155℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
ECCN代码 EAR99
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17581Q5A | TI 德州仪器 | CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17581Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSONP-8 N-CH 30V 60A | 当前型号 | CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD17577Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-CH 30V 60A | 类似代替 | 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150 | CSD17581Q5A和CSD17577Q5A的区别 |
| 型号： CSD17581Q5AT 品牌： 德州仪器 封装： VSONP-8 N-Channel 30V 60A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V | CSD17581Q5A和CSD17581Q5AT的区别 |
| 型号： CSD17576Q5B 品牌： 德州仪器 封装： VSON-CLIP N-CH 30V 100A | 功能相似 | CSD17576Q5B，30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD17581Q5A和CSD17576Q5B的区别 |
