极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 4430pF @15VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-CLIP
封装 VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
CSD17576Q5B引脚图
CSD17576Q5B封装图
CSD17576Q5B封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17576Q5B | TI 德州仪器 | CSD17576Q5B，30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17576Q5B 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-CLIP N-CH 30V 100A | 当前型号 | CSD17576Q5B，30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD17577Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-CH 30V 60A | 功能相似 | 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、5.8mΩ 8-VSONP -55 to 150 | CSD17576Q5B和CSD17577Q5A的区别 |
| 型号： CSD17576Q5BT 品牌： 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 N-CH 30V 100A | 功能相似 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments | CSD17576Q5B和CSD17576Q5BT的区别 |
| 型号： CSD17581Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSONP-8 N-CH 30V 60A | 功能相似 | CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET | CSD17576Q5B和CSD17581Q5A的区别 |
