BC856BLT1、BC856BLT1G、BC856BLT3G对比区别

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型号 BC856BLT1 BC856BLT1G BC856BLT3G

描述 通用晶体管 General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFEPNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -65.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 300 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V -65.0 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW - 225 mW

频率 - - 100 MHz

额定功率 - - 225 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 220

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99