BC856BLT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC856BLT1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC856BLT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856BLT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 Dual P-Channel -65V -100mA 300mW | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC856BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC856BLT1和BC856BLT3G的区别 |
| 型号： BC856BLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | BC856BLT1和BC856BLT1G的区别 |
| 型号： BC856B-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 350mW | 功能相似 | BC856B 系列 65 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT-23 | BC856BLT1和BC856B-7-F的区别 |