BC856BLT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -65.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 -65.0 V
集电极最大允许电流 0.1A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR, Cut Tape CT
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
符合标准
RoHS标准 Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC856BLT1G引脚图与封装图 
BC856BLT1G引脚图
BC856BLT1G封装焊盘图
在线购买BC856BLT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号BC856BLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856BLT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC856BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： BC856BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC856BLT1G和BC856BLT3G的区别 |
| 型号： NSS30101LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 30V 1A 710mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NSS30101LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 710 mW, 1 A, 200 hFE | BC856BLT1G和NSS30101LT1G的区别 |
| 型号： BC856BMTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 310mW | 功能相似 | PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BC856BLT1G和BC856BMTF的区别 |