锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC856BLT3G

BC856BLT3G

数据手册.pdf

PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3


立创商城:
BC856BLT3G


欧时:
ON Semiconductor BC856BLT3G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
This specially engineered PNP BC856BLT3G GP BJT from ON Semiconductor comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi BC856BLT3G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BC856 Series 65 V 100 mA 225 mW Surface Mount PNP Transistor - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC856BLT3G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 290 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-23


BC856BLT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 225 mW

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC856BLT3G引脚图与封装图
BC856BLT3G引脚图

BC856BLT3G引脚图

BC856BLT3G封装焊盘图

BC856BLT3G封装焊盘图

在线购买BC856BLT3G
型号 制造商 描述 购买
BC856BLT3G ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,ON Semiconductor 这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 搜索库存
替代型号BC856BLT3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC856BLT3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW

当前型号

PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

当前型号

型号: BC856BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

BC856BLT3G和BC856BLT1G的区别

型号: SBC856BLT1G

品牌: 安森美

封装: TO-236-3 PNP 300mW

类似代替

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

BC856BLT3G和SBC856BLT1G的区别

型号: SBC856BLT3G

品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 PNP 300mW

类似代替

PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BC856BLT3G和SBC856BLT3G的区别