CSD85301Q2、CSD87502Q2、CSD85301Q2T对比区别

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型号 CSD85301Q2 CSD87502Q2 CSD85301Q2T

描述 CSD85301Q2，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路 SON2x2、42mΩ 6-WSON -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 WDFN-6

通道数 2 2 -

漏源极电阻 27 mΩ 42 mΩ 0.023 Ω

极性 N-CH N-CH Dual N-Channel

耗散功率 2.3 W 2.3 W 2.3 W

阈值电压 600 mV, 600 mV 1.6 V 900 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 ±20 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 5A 5A 5A

上升时间 26 ns 11 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 469pF @10V(Vds) 353pF @15V(Vds) 469pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 2.3 W 2.3 W

下降时间 15 ns 3 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2300 mW 2300 mW 2.3 W

针脚数 - - 6

长度 2 mm 2 mm 2.1 mm

宽度 2 mm 2 mm 2.1 mm

高度 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm

封装 WSON-FET-6 WSON-FET-6 WDFN-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15