FQB34P10TM、IRF5210SPBF、IRF5210STRLPBF对比区别

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型号 FQB34P10TM IRF5210SPBF IRF5210STRLPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB34P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAKP沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -100 V - -

额定电流 -34.0 A - -

针脚数 2 3 3

漏源极电阻 0.049 Ω 0.06 Ω 0.06 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.75 W 3.1 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 33.5 mA -40.0 A -40.0 A

上升时间 250 ns - -

输入电容(Ciss) 2910pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.75 W 3.1 W 3.1 W

下降时间 210 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc) - -

产品系列 - IRF5210S IRF5210S

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源击穿电压 - -100 V -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -