FQB34P10TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB34P10TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -34.0 A
针脚数 2
漏源极电阻 0.049 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 33.5 mA
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 2910pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 210 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 155W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB34P10TM引脚图与封装图
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在线购买FQB34P10TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB34P10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V | 搜索库存 |
替代型号FQB34P10TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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