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MPS650ZL1、MPS650ZL1G、MPS650RLRA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS650ZL1 MPS650ZL1G MPS650RLRA

描述 放大器晶体管 Amplifier Transistors放大器晶体管 Amplifier Transistors放大器晶体管 Amplifier Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 - 75 MHz -

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 625 mW -

增益频宽积 - 75 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 75 @1A, 2V 75 @1A, 2V 75 @1A, 2V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape Tape & Box (TB) Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -