MPS650ZL1G中文资料参数规格
技术参数
频率 75 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 75 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPS650ZL1G引脚图与封装图
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在线购买MPS650ZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS650ZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPS650ZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS650ZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPS650G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MPS650G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE | MPS650ZL1G和MPS650G的区别 |
| 型号： MPS650ZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650ZL1G和MPS650ZL1的区别 |
| 型号： MPS650RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650ZL1G和MPS650RLRA的区别 |