MPS650ZL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPS650ZL1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS650ZL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS650ZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPS650ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650ZL1和MPS650ZL1G的区别 |
| 型号： MPS650RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 2A | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650ZL1和MPS650RLRA的区别 |
| 型号： KSC2328AY 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | TO-92L NPN 30V 2A | MPS650ZL1和KSC2328AY的区别 |