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MPS650RLRA

MPS650RLRA

数据手册.pdf

放大器晶体管 Amplifier Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 2A 75MHz 625mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 40V 2A TO92


MPS650RLRA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 2.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 75 @1A, 2V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MPS650RLRA引脚图与封装图
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在线购买MPS650RLRA
型号 制造商 描述 购买
MPS650RLRA ON Semiconductor 安森美 放大器晶体管 Amplifier Transistors 搜索库存
替代型号MPS650RLRA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MPS650RLRA

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 2A

当前型号

放大器晶体管 Amplifier Transistors

当前型号

型号: MPS650G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MPS650G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE

MPS650RLRA和MPS650G的区别

型号: MPS650ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW

完全替代

放大器晶体管 Amplifier Transistors

MPS650RLRA和MPS650ZL1G的区别

型号: MPS650RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW

完全替代

放大器晶体管 Amplifier Transistors

MPS650RLRA和MPS650RLRAG的区别