BC858CDXV6T1G、PBSS3515VS,115、BC858CDXV6T5对比区别

高亮显示差异参数

型号 BC858CDXV6T1G PBSS3515VS,115 BC858CDXV6T5

描述 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管SOT-666 PNP 15V 0.5A双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

频率 100 MHz 280 MHz -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 500 mW 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 15 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 150 @100mA, 2V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 200 @10mA, 2V -

额定功率(Max) 500 mW 200 mW 500 mW

耗散功率(Max) 500 mW 200 mW -

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 420 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -