BC858CDXV6T5中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC858CDXV6T5引脚图与封装图
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在线购买BC858CDXV6T5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858CDXV6T5 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号BC858CDXV6T5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858CDXV6T5 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： BC858CDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA 500mW | 完全替代 | NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T1G的区别 |
| 型号： BC858CDXV6T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -30V -100mA | 完全替代 | SOT-563 PNP 30V 0.1A | BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T5G的区别 |
| 型号： BC858CDXV6T1 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | BC858CDXV6T5和BC858CDXV6T1的区别 |